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美國EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器（1.0um-3.8um）

美國EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器（1.0um-3.8um）:
簡(jiǎn)介：在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長波濾光片和帶通濾光片）、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應(yīng)用在工業(yè)的控制系統(tǒng)、氣體分析、熱傳感器以及光纖測(cè)試設(shè)備。
產(chǎn)品時(shí)間：2016-08-25
訪問量：1685

美國EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器（1.0um-3.8um）:

簡(jiǎn)介：在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長波濾光片和帶通濾光片）、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應(yīng)用在工業(yè)的控制系統(tǒng)、氣體分析、熱傳感器以及光纖測(cè)試設(shè)備。

 

美國EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器（1.0um-3.8um）

室溫條件下:

型號(hào)

InAs-010

InAs-020

Active  Diameter (mm)

1.0

2.0

Operating Temperature (℃)

22

22

Operating Wavelength(μm)

1.0-3.4

1.0-3.4

Shunt Resistance (Ω)typ

≥15

≥10

Shunt Capacitance (pF),typ

400

1200.nom

NEP @1.3μm  (W/Hz1/2)

33x10-12

5.5x10-11

Responsivity(A/W)

1.0 @3.2μm

0.8 typ

二級(jí)制冷條件下:

型號(hào)

InAs-010-TE2_TO8

InAs-020-TE2_TO8

Operating Temperature (℃)

-30

-30

Responsivity(A/W)

1.4 min@3.2μm

1.5

Shunt Resistance (Ω)

500

100

Shunt Capacitance (pF)

450

1200

Thermistor Resistance (KΩ)

40.0typ

40.0typ

Cooler Current(A)

0.65TYP

0.65TYP

Max Cooler Current (A)

1.25

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